[发明专利]半导体结构及形成方法有效
| 申请号： | 201610407346.2 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107492521B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/10 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及形成方法，包括：提供衬底；形成位于衬底表面的多个鳍部；填充隔离层，位于第一区衬底表面的隔离层为第一隔离层，位于第二区衬底表面的隔离层为第二隔离层；去除第二区衬底表面的鳍部以及第二隔离层形成开口；对开口的侧壁进行抗氧化处理；在开口中形成隔离结构。本发明在去除第二区衬底表面的鳍部以及第二隔离层形成开口之后，对开口的侧壁进行抗氧化处理，形成覆盖第一隔离层侧壁的抗氧化层。抗氧化层能够与氧反应，从而实现对氧原子的吸收。所以，抗氧化层的形成，能够有效阻止氧原子的扩散，减少氧原子与鳍部的接触，降低其不备氧化的可能，能够有效提高半导体结构中鳍部的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括多个第一区以及位于所述第一区之间的第二区；/n形成位于所述衬底表面的多个鳍部；/n通过流体化学气相沉积方式在相邻所述鳍部之间填充隔离层，位于第一区衬底表面的隔离层为第一隔离层，位于第二区衬底表面的隔离层为第二隔离层；/n去除所述第二区衬底表面的鳍部以及所述第二隔离层形成开口，所述开口的侧壁为第一隔离层且底部为第二衬底；/n对开口的侧壁进行抗氧化处理，形成抗氧化层；/n抗氧化处理之后，在开口中形成隔离结构；/n在开口中形成隔离结构的步骤包括：在所述第二区的衬底表面形成隔离材料，并通过水汽退火的方式对所述隔离材料进行退火处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
