[发明专利]半导体结构及形成方法

摘要

一种半导体结构及形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，所述衬底内具有前层待连接件；形成覆盖所述前层待连接件的第一帽层；形成位于所述第一帽层上的介质叠层；在所述介质叠层和所述第一帽层内形成开口，所述开口底部露出所述前层待连接件；向所述开口内填充导电材料，形成互连结构；使所述第一帽层与所述前层待连接件反应，形成强化层。本发明通过在介质叠层与前层待连接件之间形成第一帽层；并在形成互连结构时使所述第一帽层与所述前层待连接件相互反应形成强化层。所述强化层的形成，能够提高所述前层待连接件与介质叠层的连接强度，从而能够改善所形成互连结构的电迁移问题，提高所形成互连结构的可靠性。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n形成衬底，所述衬底内具有前层待连接件；/n形成覆盖所述前层待连接件的第一帽层，所述第一帽层的材料包括钴；/n形成覆盖所述第一帽层的第二帽层，包括：形成覆盖所述第一帽层上的连接前驱层，所述连接前驱层的材料包括：富硼氮化硼；形成覆盖所述连接前驱层的缓冲层，所述缓冲层的材料包括：富氮氮化硼，其中，所述连接前驱层用于后续步骤中与所述第一帽层反应形成连接层，所述缓冲层用于改善后续所形成连接层与介质叠层之间的晶格失配问题；/n形成位于所述第一帽层上的介质叠层；/n在所述介质叠层和所述第一帽层内形成开口，所述开口底部露出所述前层待连接件；/n向所述开口内填充导电材料，形成互连结构；/n通过退火处理的方式使所述第一帽层与所述前层待连接件反应，形成强化层，所述强化层的材料包括铜钴合金，并使所述第二帽层和所述第一帽层反应形成位于所述强化层上的连接层，所述连接层的材料包括硼化钴，所述连接层用于增强所述强化层与所述介质叠层之间的连接强度。/n