[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括形成基底；在基底上形成栅极材料层；对栅极材料层进行第一刻蚀，去除部分栅极材料层，露出部分基底；对露出的基底进行第一离子注入，在基底内形成具有第一掺杂离子的体区，体区延伸至剩余的栅极材料层下方；对剩余的栅极材料层进行第二刻蚀，去除远离体区的一侧的部分栅极材料层，形成栅极。本发明通过两次刻蚀形成栅极，并在两次刻蚀之间进行形成体区的第一离子注入，使第一离子注入直接对露出的基底表面进行，利用离子在基底内的扩散实现体区向栅极下方的延伸，既能实现所形成的栅极对体区的覆盖，实现栅极对体区的控制能力，又能够减小体区和栅极之间重叠区域的尺寸，有利于进一步提高所形成晶体管的击穿电压。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成栅极材料层；对所述栅极材料层进行第一刻蚀，去除部分所述栅极材料层，露出部分所述基底；对露出的所述基底进行第一离子注入，在所述基底内形成具有第一掺杂离子的体区，所述体区延伸至剩余的所述栅极材料层下方；对剩余的所述栅极材料层进行第二刻蚀，去除远离所述体区的一侧的部分所述栅极材料层，形成栅极。