[发明专利]一种青蒿素分子印迹光电化学传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610408114.9 申请日: 2016-06-12
公开(公告)号: CN106124462B 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 王宗花;郭慧君;桂日军;金辉;徐显朕 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 曹丽
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种青蒿素分子印迹光电化学传感器的制备方法。本发明公开了一种基于细胞色素C与焦宁B作用的青蒿素分子印迹光电化学传感器的制备方法,步骤如下:1)在玻碳电极上电化学聚合出分子印迹聚合物膜,将模版分子洗脱得到印迹空穴;2)将印迹聚合物浸入含青蒿素的溶液中掩蔽印迹膜的空穴,放入含细胞色素C标记的模版分子溶液中,以便取代印迹空穴中的模版分子发生竞争反应,放入含铁氰化钾的电解质溶液中,观察到电信号变化;3)随溶液中细胞色素C标记的模版分子减少,底物焦宁B荧光减弱,可实现对青蒿素的光电化学检测。本发明的青蒿素分子印迹传感器具备操作简单、选择性高、成本低等优点,采用光和电信号结合,可作为一种新型的分子印迹传感器用于生物样品和复杂体系中青蒿素的高效检测。
搜索关键词: 一种 青蒿素 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法
【主权项】:
1.一种青蒿素分子印迹光电化学传感器的制备方法,其特征是:基于细胞色素C与焦宁B作用,具体的步骤如下:(1)玻碳电极的处理:将玻碳电极磨光,清洗后干燥;(2)青蒿素分子印迹电极的制备:将经过步骤(1)处理的玻碳电极浸入到含有青蒿素、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸乙二醇酯、偶氮二异丁腈和氯化钾的脱氧磷酸盐缓冲液中,采用循环伏安法扫描特定圈数,再将该电极用醋酸和甲醇的混合液浸泡后洗脱模版分子,即得青蒿素分子印迹电极;(3)分子印迹电极的掩蔽、孵化和竞争:将步骤(2)制备的分子印迹电极浸入到含青蒿素的溶液中掩蔽空穴,然后放入含细胞色素C标记的青蒿素溶液中浸泡,再将其放入含青蒿素的溶液中发生竞争反应;(4)青蒿素分子印迹传感器电信号和光信号的检测:将玻碳电极放入含有K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]和氯化钾的电解质溶液进行循环伏安扫描得到电信号的变化情况,然后将电极放入含有焦宁B和三酸的缓冲液中,检测荧光信号的变化情况。
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