[发明专利]单质金属铋纳米颗粒的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610409789.5 申请日: 2016-06-08
公开(公告)号: CN105908214A 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 王学伟;徐冉;马士精;何朝成;康耀仁;袁志好 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C25C1/22 分类号: C25C1/22;B22F9/06;B82Y40/00
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 刘书元
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种单质金属铋纳米颗粒的制备方法,属于金属纳米材料制备技术领域。该方法包括以下步骤,将含有铋的氯化盐中的铋元素均匀沉积在多孔氧化铝模板的孔道中得到单质金属铋纳米线阵列。将沉积满单质金属铋纳米线的多孔氧化铝模板使用导电银浆将其与导线相连制作成为电极。再串联接入实验电路中,设置直流电压大小为40V,实验时间为60min,重复此实验过程2~3次。选择测量后的样品横截面进行扫描电子显微镜观测,即可发现随着重复实验次数的增加,得到单质金属铋纳米线会出现颗粒细化的现象。本发明方法的制备工艺简单,并且原料易于获取,实验反应的电压大小、时间可控,而且,制备的材料在热电和润滑油添加剂等方面有着广泛的应用。
搜索关键词: 单质 金属 纳米 颗粒 制备 方法
【主权项】:
一种单质金属铋纳米颗粒的制备方法,其特征在于步骤如下:(1)单质金属铋纳米线阵列制备:将多孔氧化铝模板放置入含有铋的氯化盐的水溶液中作为阴极材料,石墨电极作为阳极材料,使用直流电化学沉积的方法制备,恒温0℃反应8h,直流电压大小为1.3‑1.5V,得到沉积有单质金属铋纳米线阵列的多孔氧化铝模板;(2)电场条件下多次熔化再结晶形成单质金属铋纳米颗粒:将沉积有单质金属铋纳米线阵列的多孔氧化铝模板使用导电银浆与导线相连,并且接入实验电路中,在室温的环境下,直流电压为40V的条件下,持续加热60min,待熔化再结晶完成后,相同的条件下重复实验操作2~3次,将含有单质铋金属纳米线阵列的多孔氧化铝模板选择其横截面进行扫描电子显微镜观测,即可发现得到的单质金属铋纳米颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610409789.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top