[发明专利]一种对多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法

摘要

本发明涉及一种对多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法，本发明基于磁性随机存取存储器的原理，提出了一种对采用多个磁性隧道结作为信息存储单元的多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法；通过为多态磁性存储器提供写电流和辅助磁场，在极化电流的自旋转移力矩和辅助磁场的共同作用下，分别改变多个自由层的磁化方向，从而实现多态磁性存储器的再编程；利用此操作方法可以对磁性存储器进行快速无限次再编程，且操作方法简单容易实现、成本低。

主权项

1.一种对多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法，其特征在于：为多态磁性存储器配置磁辅助再编程设备；通过磁辅助再编程设备为多态磁性存储器提供辅助磁场；所述多态磁性存储器包括多态磁性隧道结存储单元阵列、开关电路；开关电路与多态磁性隧道结存储单元阵列连接，对其进行控制，控制方法包括如下步骤：(1)将多态磁性存储器置于磁辅助再编程设备产生的均匀外磁场中，该外磁场大于磁性隧道结自由层磁性薄膜矫顽力的磁场，磁场方向平行于钉扎层磁性薄膜的磁化方向，以此将存储单元阵列中的信息全部重置为“00”；(2)降低外磁场强度并180度反转其磁化方向，使外磁场强度小于磁性隧道结自由层磁性薄膜矫顽力的磁场；(3)结合不同的写电流方向，在外磁场和电流共同作用下写入不同的电阻态“01”、“10”和“11”，实现一个多态磁性隧道结单元中多个比特信息的存储；其中写电流以自旋转移力矩的方式作用于多态磁性隧道结存储单元。