[发明专利]一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610410680.3 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106083057B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B41/88 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量为≥20wt%，优选为20～40wt%。本发明所制备的SiC基复相陶瓷具有线性的伏安特性，可调的电阻率，同时具有较高的强度与硬度以及较低的密度，在实现结构与功能一体化的电阻元件等方面有望得到重要应用。因此SiC/ZrB2复相陶瓷有望成为可在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的结构与功能一体化的电子工业元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基复相 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调节碳化硅基复相陶瓷材料的电阻率的方法，其特征在于，以B或B4C中的至少一种作为烧结助剂，以酚醛树脂、PVA、PVB中的至少一种为粘结剂无压固相烧结制备碳化硅基复相陶瓷材料，通过控制ZrB2第二相材料的含量为20～40wt%以调节碳化硅基复相陶瓷材料的电阻率以使其电阻率ρ在100～102Ω·cm可控且使碳化硅基复相陶瓷材料具有欧姆电阻的线性伏安特性。
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