[发明专利]一种高填充因子的微测热辐射计及制备方法有效

专利信息
申请号: 201610410719.1 申请日: 2016-06-13
公开(公告)号: CN106124066B 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 邱栋;王鹏;王宏臣;陈文礼;马宏 申请(专利权)人: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 荣晓宇
地址: 264006 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种高填充因子的微测辐射热计及制备方法,在微测热辐射计的读出电路(1)上制作金属反射层(2)、绝缘介质层(3)、牺牲层(4)、支撑层(5)、金属电极层(6)、热敏层(8)、钝化层(9)之后,结合化学机械抛光、钨柱塞或者物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积等技术制备高深宽比的电学连接结构,减小电学连接结构的面积,增大微测辐射热计的填充因子。基于微测辐射热计的红外或太赫兹探测器都是由大面阵的阵列微测辐射热计组成的,通过减小接触孔的面积,可以有效的提升填充因子,同时提升探测器的性能。使用该结构,可以在未来设计制作更小像元的微测辐射热计时成比例的缩小像元尺寸,而不会增加工艺的难度。
搜索关键词: 一种 填充 因子 微测热 辐射计 制备 方法
【主权项】:
1.一种高填充因子的微测辐射热计的制备方法,特征在于包括以下步骤:步骤1,在微测辐射热计的读出电路(1)上沉积金属反射层(2)并图形化,沉积绝缘介质层(3);步骤2,沉积牺牲层(4)和支撑层(5);牺牲层材料选用非晶碳、非晶硅、氧化硅或者耐温光刻胶;步骤3,沉积金属电极层(6)和热敏层(8)并图形化,蚀刻金属电极层(6)与热敏层(8)的接触孔;包括两种方法:方法一,沉积金属电极层(6)并图形化,沉积低应力氮化硅保护层,并图形化,蚀刻金属电极层(6)与热敏层(8)的接触孔,沉积热敏层(8)并图形化,沉积热敏钝化层(9)并图形化;方法二,沉积热敏层(8)并图形化沉积低应力氮化硅保护层并图形化,蚀刻金属电极层(6)与热敏层(8)的接触孔,沉积金属电极层(6)并图形化,沉积电极钝化层(7)并图形化;步骤4,进行金属电极保护层图形化,蚀刻掉部分保护层和电极钝化层(7)/热敏钝化层(9),漏出部分金属电极层(6),形成金属电极接触孔;步骤5,在金属电极接触孔上图形化,蚀刻金属电极层(6)、支撑层(5)和牺牲层(4),形成高深宽比的垂直孔作为接触孔(10),直至露出金属反射层(2),去除光刻胶;再次对金属电极接触孔利用光刻图形化,露出接触孔,沉积电学连接金属(11);步骤6,去除光刻胶以及光刻胶上多余的金属;在形成的电学连接金属(11)上沉积一层氮化硅钝化层,并光刻图形化;步骤7,蚀刻各层氮化硅薄膜,释放牺牲层(4),形成最终的微桥结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台睿创微纳技术股份有限公司,未经烟台睿创微纳技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610410719.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top