[发明专利]用于集成电路的EOS保护

摘要

本发明涉及一种EOS保护，尤其涉及一种用于集成电路的EOS保护；在一些实施例中，半导体器件中的保险丝结构使用一个金属保险丝元件，连接到堆栈通孔熔断器上，堆栈通孔熔断器连接到薄膜电阻元件。在用于EOS保护的集成电路中可以引入保险丝结构。在其他实施例中，集成EOS/ESD保护电路包括一个限流电阻器，与ESD保护电路集成在一起。在一些实施例中，限流电阻器形成在N‑阱中，构成ESD保护电路的集电极。

主权项

1.一种保险丝结构，其特征在于，形成在半导体器件中，与半导体器件的输入‑输出垫串联，利用含有N个金属层的制备工艺制备半导体器件，最下面的金属层为第一个金属层，最上面的金属层为第N个金属层，该保险丝结构包括：一个薄膜电阻元件，形成在一半导体本体上，并与本体绝缘，薄膜电阻元件具有第一端和第二端，第二端电连接到半导体器件的电路上；使用第一个金属层到第(N‑2)个金属层中的一个或多个金属层制备的一个或多个金属垫，形成在第一金属层中的第一个金属垫通过接头连接到薄膜电阻元件的第一端，每个金属垫都利用通孔连接到一个邻近的金属垫，通孔和所述一个或多个金属垫在垂直方向上堆栈在接头以及薄膜电阻元件第一端的上方，用于制备所述一个或多个金属垫的材料的熔点远低于薄膜电阻元件的熔点；一个金属保险丝元件，其第一端通过通孔，连接到输入‑输出垫，第二端通过通孔，连接到形成在第(N‑2)个金属层中的金属垫，利用最上面的金属层制备输入‑输出垫，利用第(N‑1)个金属层制备金属保险丝元件；其中，通孔、所述一个或多个金属垫以及接头构成保险丝结构的熔断器，保险丝结构通过在发生电过载情况时断开熔断器，来保护半导体器件的输入‑输出垫不受电过载影响。