[发明专利]有机发光二极管显示器

摘要

本申请涉及有机发光二极管显示器，其包括：衬底；在所述衬底上的有机发光二极管；在所述有机发光二极管上并且包括高折射层的覆盖层，所述高折射层包含折射率等于或大于约1.7且等于或小于约6.0的无机材料；以及覆盖所述覆盖层和所述有机发光二极管的薄膜封装层，所述无机材料包括选自CuI、碘化铊(TlI)、BaS、Cu2O、CuO、BiI、WO3、TiO2、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MoO3、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb组成的组中的至少一种。

主权项

有机发光二极管显示器，包括：衬底；在所述衬底上的有机发光二极管；在所述有机发光二极管上并且包括高折射层的覆盖层，所述高折射层包含折射率等于或大于1.7且等于或小于6.0的无机材料；以及覆盖所述覆盖层和所述有机发光二极管的薄膜封装层，并且其中所述无机材料包括选自CuI、TlI、BaS、Cu2O、CuO、BiI、WO3、TiO2、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MoO3、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb组成的组中的至少一种。