[发明专利]LED外延接触层生长方法在审
| 申请号： | 201610413857.5 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105895757A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长掺杂Si的AlGaN接触层、降温冷却。在生长掺杂Mg的P型GaN层后引入掺杂Si的AlGaN接触层的生长，即在LED外延最后的接触层设计AlGaN：Si结构，能够很好的匹配ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，以降低接触电阻，从而能够降低LED芯片的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 接触 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延接触层生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长掺杂Si的AlGaN接触层、降温冷却，所述生长掺杂Si的AlGaN接触层，进一步为：保持生长温度为850℃‑1050℃，将生长压力控制在100Torr‑500Torr，通入TEGa、TMAl以及SiH4作为MO源，并通入NH3，生长厚度为5nm‑20nm的掺杂Si的AlGaN接触层，其中，通入NH3和TEGa的摩尔量比为1000‑5000，Al的组分控制在3％‑30％，Si掺杂浓度为1E19atoms/cm3‑1E21atoms/cm3。
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