[发明专利]一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610414390.6 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106083058B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/634;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相压敏陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量≤18wt%，优选为2～18wt%。综上本发明制备的SiC基复相压敏陶瓷材料通过伏安特性测试，表现为明显的非线性压敏特性。其具有特殊的应用价值，有望作为在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的电子元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基复相压敏 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调节碳化硅基复相压敏陶瓷材料的压敏电阻特性的方法，其特征在于，以B或B4C中的至少一种作为烧结助剂，以酚醛树脂、PVA、PVB中的至少一种作为粘结剂无压固相烧结制备碳化硅基复相压敏陶瓷材料，通过控制ZrB2第二相材料的含量为2～18wt%以调节碳化硅基复相压敏陶瓷材料的压敏电阻特性以使其压敏电压U1mA在1.9V·mm‑1～5.1 V·mm‑1可控，且非线性系数α为1.66～2.44。
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