[发明专利]单势垒型InGaAsSb红外探测器在审
| 申请号： | 201610414401.0 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105932092A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 向伟;王国伟;徐应强;郝宏玥;韩玺;任正伟;贺振宏;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单势垒型InGaAsSb红外探测器，包括：一GaSb衬底；一下接触层，其制作在GaSb衬底上；一复合层，其制作在下接触层上；一上接触层，其制作在复合层上。本发明可以针对目前应变InGaAs探测器的缺陷，该单势垒型InGaAsSb红外探测器具有暗电流小，低噪声的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单势垒型 ingaassb 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种单势垒型InGaAsSb红外探测器，包括：一GaSb衬底；一下接触层，其制作在GaSb衬底上；一复合层，其制作在下接触层上；一上接触层，其制作在复合层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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