[发明专利]倒台面栅IGBT结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610414894.8 | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507860A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种倒台面栅IGBT结构，包括半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间的倒台面，倒台面为上宽下窄结构，倒台面下部位于半导体衬底内，上部与半导体衬底表面相平齐，半导体衬底表面在部分第一源区和部分第二源区之间覆盖有氧化层，且倒台面被氧化层填充。上述IGBT结构通过保持沟道上方的氧化层厚度不变，增大第一基区与第二基区之间氧化层的厚度来实现在保持阈值电压不变的同时，大幅减小栅集寄生电容，以降低IGBT开关过程中的电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒台面栅IGBT结构，其特征在于，包括：半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、位于第一基区中的第一源区、位于第二基区中的第二源区和位于第一基区与第二基区之间的倒台面，倒台面为上宽下窄结构，倒台面下部位于半导体衬底内，上部与半导体衬底表面相平齐，半导体衬底表面在部分第一源区和部分第二源区之间覆盖有氧化层，且倒台面被氧化层填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司，未经株洲中车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610414894.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
