[发明专利]一种微压电驱动器阵列结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610415190.2 申请日: 2016-06-14
公开(公告)号: CN105957959A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: 李以贵;黄远;颜平;王欢;胡隆胜;夏碧颖;李俊衡;桑先润 申请(专利权)人: 上海应用技术学院
主分类号: H01L41/22 分类号: H01L41/22;H01L41/337
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 邵晓丽;胡晶
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种微压电驱动器阵列结构的制备方法,包括:对一双面抛光的硅片进行热氧化处理,在表面形成二氧化硅薄膜;对二氧化硅薄膜进行图形化处理,形成掩膜图案;根据掩膜图案,对硅片的上表面进行电感耦合等离子体刻蚀,形成硅支撑台;分别在硅支撑台的上表面和一压电陶瓷片的下表面蒸镀一层金层,采用共晶键合的方法实现两者的键合;对压电陶瓷片进行物理减薄;在压电陶瓷片的上表面溅射一层金/铬薄膜,作为压电陶瓷片的上层电极,并使用准分子激光器对压电陶瓷片进行图形化处理;采用湿法刻蚀方法,从硅片的下表面刻蚀硅,形成硅腔,硅腔与硅支撑台的位置相对应。本发明的微压电驱动器阵列结构的制备方法简单易行,致密性和压电性能好。
搜索关键词: 一种 压电 驱动器 阵列 结构 制备 方法
【主权项】:
一种微压电驱动器阵列结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S11:对一双面抛光的硅片进行热氧化处理,在所述硅片的上、下表面形成预设厚度的二氧化硅薄膜;S12:对所述硅片的上、下表面的所述二氧化硅薄膜进行图形化处理,形成掩膜图案;S13:根据所述掩膜图案,对所述硅片的上表面进行电感耦合等离子体刻蚀,形成硅支撑台;S14:分别在所述硅支撑台的上表面和一压电陶瓷片的下表面蒸镀一层金层,采用共晶键合的方法实现所述硅支撑台的上表面和所述压电陶瓷片的下表面的键合;S15:对所述压电陶瓷片进行物理减薄处理;S16:在所述压电陶瓷片的上表面溅射一层金/铬薄膜,所述金/铬薄膜作为所述压电陶瓷片的上层电极,并使用准分子激光器对所述压电陶瓷片进行图形化处理;S17:采用湿法刻蚀的方法,从所述硅片的下表面刻蚀硅,形成硅腔,所述硅腔与所述硅支撑台的位置相对应。
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