[发明专利]发射辐射的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610415644.6 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106025051B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | M.维特曼恩 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种发射辐射的半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）覆盖的位置处用该光吸收材料（4）覆盖，以及发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发射辐射的半导体器件，具有－具有芯片安装面（10a）的壳体（10），－芯片连接区（3），－发射辐射的半导体芯片（1），－光吸收材料（4），以及－可透光的浇注材料（5），所述浇注材料（5）局部地与所述发射辐射的半导体芯片（1）和所述光吸收材料（4）邻接，其中－发射辐射的半导体芯片（1）固定在所述芯片连接区（3）处，－所述芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）掩盖的位置处用光吸收材料（4）覆盖，－发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4），－所述壳体具有空腔，在该空腔中布置至少一个发射辐射的半导体芯片，－所述芯片安装面（10a）是邻接所述空腔的表面，－所述芯片安装面（10a）在与所述芯片连接区（3）隔有距离的位置处没有光吸收材料（4）。
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