[发明专利]一种安全芯片的抗时钟频率错误注入攻击的防御电路有效

专利信息
申请号: 201610415690.6 申请日: 2016-06-06
公开(公告)号: CN106096457B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 尹勇生;汪涛;陈红梅;邓红辉;黄超;蹇茂琛 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G06F21/71 分类号: G06F21/71
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 陆丽莉;何梅生
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种安全芯片的抗时钟频率错误注入攻击的防御电路,其特征包括:检测模块和检测模块:检测模块包括:第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4;判断模块包括:第一施密特触发器A1、第二施密特触发器A2、第一D触发器D1、第二D触发器D2、同或门XNOR。本发明能将时钟频率限定在一安全的频率范围内,从而能有效防止时钟频率错误注入攻击。
搜索关键词: 一种 安全 芯片 时钟 频率 错误 注入 攻击 防御 电路
【主权项】:
1.一种安全芯片的抗时钟频率错误注入攻击的防御电路,是用于检测时钟CLK的频率,其特征包括:检测模块和判断模块:所述检测模块包括:第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4;所述第一NMOS晶体管的源极、漏极与第一传输门TG1的输出端并联接地,所述第一NMOS晶体管的栅极与第一传输门TG1的输入端并联后再与第二传输门TG2的输出端串联;所述第二传输门TG2的输入端接VDD;以所述第一NMOS晶体管的栅极一侧作为第一输出端a;所述第二NMOS晶体管M2的源极、漏极与第三传输门TG3的输出端并联接地,所述第二NMOS晶体管的栅极与第三传输门TG3的输入端并联后再与第四传输门TG4的输出端串联;所述第四传输门TG4的输入端接VDD;以所述第二NMOS晶体管的栅极一侧作为第二输出端b;所述第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4分别与时钟CLK相连;使得在所述检测模块中,当所述时钟CLK高电平时,所述第一传输门TG1和第三传输门TG3同步截止,所述第二传输门TG2和第四传输门TG4同步导通;反之,当所述时钟CLK低电平时,所述第一传输门TG1和第三传输门TG3同步导通,所述第二传输门TG2和第四传输门TG4同步截止;所述判断模块包括:第一施密特触发器A1、第二施密特触发器A2、第一D触发器D1、第二D触发器D2、同或门XNOR;所述第一施密特触发器A1的输入端与所述第一输出端a相连,所述第一施密特触发器A1的输出端与所述第一D触发器D1的输入端相连;所述第二施密特触发器A2的输入端与所述第二输出端b相连,所述第二施密特触发器A2的输出端与所述第二D触发器D2的输入端相连;所述第一D触发器D1、第二D触发器D2分别通过反相器与所述时钟CLK相连;所述第一D触发器D1和第二D触发器D2的输出端与所述同或门XNOR的输入端相连,经过所述同或门XNOR的运算得到的计算结果即为检测结果。
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