[发明专利]半导体芯片封装结构及封装方法

摘要

本发明提供一种半导体芯片封装结构及封装方法，该封装方法，包括如下步骤：提供第一晶圆，具有彼此相背的第一表面与第二表面，所述第一表面上具有多个第一焊垫；提供第二晶圆，具有彼此相背的第三表面与第四表面，所述第三表面上具有多个第二焊垫；将所述第一晶圆与所述第二晶圆对位压合，使所述第一表面与所述第三表面彼此相对，且所述第一焊垫与所述第二焊垫的位置一一对应；在所述第二表面上对应第一焊垫的位置形成通孔，所述通孔穿透所述第一焊垫以及所述第二焊垫，或者，所述通孔穿透所述第一焊垫且所述通孔的底部暴露所述第二焊垫；在所述通孔中形成导电结构，使所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接。实现半导体芯片与半导体芯片直接互连。

主权项

1.一种半导体芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆，具有彼此相背的第一表面与第二表面，所述第一表面上具有多个第一焊垫；提供第二晶圆，具有彼此相背的第三表面与第四表面，所述第三表面上具有多个第二焊垫；在所述第一表面或者所述第三表面上形成支撑单元，将所述第一晶圆与所述第二晶圆对位压合，压合之后，所述支撑单元使所述第一表面与所述第三表面之间形成间隔，并使所述第一表面与所述第三表面彼此相对，且所述第一焊垫与所述第二焊垫的位置一一对应；在所述第二表面上对应第一焊垫的位置形成通孔，所述通孔穿透所述第一焊垫以及所述第二焊垫，或者，所述通孔穿透所述第一焊垫且所述通孔的底部暴露所述第二焊垫；在所述通孔中形成导电结构，使所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接，所述第一焊垫包括至少两层金属层，所述金属层与相邻的金属层电连接，金属层与金属层之间具有介质层，所述第一焊垫上具有开孔，所述开孔的位置与所述通孔的位置对应，所述开孔穿透所述金属层以及所述介质层，所述开孔中填充有介质材料。