[发明专利]一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法在审

专利信息
申请号: 201610417186.X 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN106087066A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 吴敬军 申请(专利权)人: 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 065001 河北省廊坊市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提出的是一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵(NH4HF2)溶液和质量浓度为15%氢氟酸(HF)溶液的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3,氢氟酸溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。优点:用两种腐蚀溶液腐蚀石英晶体片表面,解决了以往改善石英晶体片表面粗糙度必须研磨抛光的做法。设备投资少、操作简便、生产效率高、加工成本低、产品品质容易控制。
搜索关键词: 一种 改善 石英 晶体 表面 粗糙 方法
【主权项】:
一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,其特征是该方法包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵和质量浓度为15%氢氟酸的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3, 氢氟酸溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。
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