[发明专利]真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺在审
| 申请号： | 201610418101.X | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106083016A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 施成达;蔡荣;郭雷 | 申请（专利权）人： | 西一电气有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/19 | 分类号： | C04B35/19;C04B35/622;C04B41/86;H01H33/662 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 薛辉 |
| 地址： | 317300 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%‑5%的K2O、3%‑3.5%的Na2O、65%‑70%的SiO2、15%‑30%的Al2O3、0.05%‑0.1%的Fe2O3、0.05%‑0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。本发明的产品能够提高绝缘套筒的绝缘性能，且烧制的合格品率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断路器 绝缘 套筒 配方 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种真空断路器绝缘套筒的配方及其制作工艺，其特征在于：由一种加工绝缘套筒的材料制成，该真空断路器绝缘套筒材料配方由以下成分组成，按重量百分比计算：4%‑5%的K2O、3%‑3.5%的Na2O、65%‑70%的SiO2、15%‑30%的Al2O3、0.05%‑0.1%的Fe2O3、0.05%‑0.1%的TiO2；其加工工艺流程从头到尾为：配料研磨—放浆过筛—塑型干燥—上釉烧制—出窑。
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