[发明专利]一种高亮倒装LED芯片制备方法

摘要

本发明提供一种高亮倒装LED芯片制备方法，包括以下步骤：步骤一、首先在清洗干净的LED外延片沉积一定厚度的SiO₂或SiN薄膜；依据需要进行黄光图形制程，将SiO₂或SiN薄膜采用腐蚀方式，制备CB结构；步骤二、进行ITO薄膜沉积；步骤三、依据需要进行黄光图形制程，步骤四、依据需要进行黄光图形制程制备PN电极；步骤五、进行无Ag氧化物高反射率薄膜沉积，步骤六、依据需要进行黄光图形制程，进行键合层制备。本发明将通过CB阻挡结构、ITO扩展、无Ag氧化物高反射率薄膜等技术制备的倒装芯片。在功率、出光效率及热性能方面又突破性提升，在高工作电流条件下工作电压较低适合更高的电流密度工作。本发明采用的无Ag高反膜对光的反射率达到了99％，且工艺更简洁。

主权项

一种高亮倒装LED芯片制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、首先在清洗干净的LED外延片沉积一定厚度的SiO₂或SiN薄膜；依据需要进行黄光图形制程，将SiO₂或SiN薄膜采用腐蚀方式，制备CB结构；步骤二、进行ITO薄膜沉积；依据需要进行黄光图形制程，对ITO薄膜进行腐蚀，该工序采用ITO过腐蚀工艺进行；进行ICP等离子体刻蚀、去光阻；步骤三、依据需要进行黄光图形制程，进行ISO深刻蚀，将刻蚀区域GaN刻蚀完全，并去光阻；步骤四、依据需要进行黄光图形制程制备PN电极；步骤五、进行无Ag氧化物高反射率薄膜沉积，使用DBR镀膜设备进行光子晶体高反膜之制备，使用SiO₂、Ti₃O₅制备480nm‑700nm高反膜或者SiO₂、Ta₂O₅制备250nm‑500nm高反膜，并依据需要进行黄光图形制程，采用ICP等离子体将部分无Ag氧化物高反射率薄膜刻蚀去除；步骤六、依据需要进行黄光图形制程，进行键合层制备。