[发明专利]一种由硝酸铜制备铜镓硫光电薄膜的方法在审
申请号: | 201610418999.0 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN106082691A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 刘科高;刘宏;徐勇;于刘洋;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;H01L31/032 |
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地址: | 250101 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种由硝酸铜制备铜镓硫光电薄膜的方法,属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将Cu(NO3)2·3H2O、Ga(NO3)3·xH2O、CH3CSNH2放入溶剂中混合均匀,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理,最后取出样品浸泡24小时后进行干燥,得到铜镓硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜镓硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性,主相为CuGaS2相,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的铜镓硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 硝酸铜 制备 铜镓硫 光电 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种由硝酸铜制备铜镓硫光电薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:a.玻璃基片的清洗;b.将1.61份Cu(NO3)2·3H2O、1.71份Ga(NO3)3·xH2O和1.0份CH3CSNH2放入13.3份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合;c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触;将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间5~20小时,然后冷却到室温取出;e.将步骤d所得物在去离子水中浸泡24小时,然后进行常温自然干燥,得到铜镓硫光电薄膜。
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