[发明专利]一种TFT阵列半曝光光刻工艺在审
| 申请号： | 201610419169.X | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105914182A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 熊勇军;杨黎明 | 申请（专利权）人： | 苏州众显电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在己形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT‑LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、增加生产量有很大作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 曝光 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种TFT 阵列半曝光光刻工艺，其特征在于，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在己形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
