[发明专利]一种LED芯片在审
申请号: | 201610420110.2 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN106409857A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 徐亮 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/10;H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种LED芯片,具有第一通孔,且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层,这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部,减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题,同时,把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光,提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种LED芯片,包括: 衬底;发光结构,所述发光结构位于所述衬底表面包括:位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层,位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层;第一通孔,所述第一通孔完全贯穿所述发光结构,延伸至所述衬底表面;第二通孔,所述第二通孔位于所述发光结构内,完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层,延伸至所述N型氮化镓层表面;DBR层,所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面,其中,位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化;欧姆接触层,所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面;电极结构,所述电极结构包括:位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的