[发明专利]一种LED芯片在审

专利信息
申请号: 201610420110.2 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN106409857A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 徐亮 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/10;H01L33/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528226 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种LED芯片,具有第一通孔,且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层,这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部,减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题,同时,把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光,提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
搜索关键词: 一种 led 芯片
【主权项】:
一种LED芯片,包括: 衬底;发光结构,所述发光结构位于所述衬底表面包括:位于所述衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层,位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层;第一通孔,所述第一通孔完全贯穿所述发光结构,延伸至所述衬底表面;第二通孔,所述第二通孔位于所述发光结构内,完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层,延伸至所述N型氮化镓层表面;DBR层,所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面,其中,位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化;欧姆接触层,所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面;电极结构,所述电极结构包括:位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
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