[发明专利]自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器

摘要

本发明提供的一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路和驱动器，针对SiC高速、高压大电流MOSFET的特点，在大摆幅内实现精确栅极驱动以及对驱动路径离散电感和栅极电容产生的振铃尖峰进行淬灭，以确保有效利用SiC的高速开关能力和克服其跨导较低的不足。所述驱动电路包括第一开关管、第二开关管，第一开关管的漏极和第二开关管的漏极连接栅极驱动输出端，第二开关管的源极接正电源，第一开关管的源极经稳压器接正电源，稳压器的正输入端接高电位，稳压器的负输入端经电容接地；第一开关管的栅极和第二开关管的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路。

主权项

1.一种自适应振铃淬灭栅极驱动电路，其特征在于，包括第一MOS开关管Q1、第二MOS开关管Q2，所述第一MOS开关管Q1的漏极和第二MOS开关管Q2的漏极连接栅极驱动输出端GD，所述第二MOS开关管Q2的源极接正电源VP，所述第一MOS开关管Q1的源极经稳压器接正电源VP，稳压器的正输入端接高电位VH，稳压器的负输入端经电容c接地；所述第一MOS开关管Q1的栅极和第二MOS开关管Q2的栅极连接采用淬灭时间自适应的驱动源内阻变化的方式实现电压快速上拉和振铃淬灭的上拉淬灭电路；所述上拉淬灭电路包括第一电平转移缓冲器1、第二电平转移缓冲器3、导通延时器8以及滞回电压比较器C，所述第一MOS开关管Q1的栅极经第一电平转移缓冲器1和导通延时器8连接SIN信号输入端，第二MOS开关管Q2的栅极接第二电平转移缓冲器3输出端，第二电平转移缓冲器3控制端接正电源VP，第二电平转移缓冲器3输入端接第一或门2输出端，第一或门2的第一输入端经导通延时器8连接SIN信号输入端，第一或门2的第二输入端连接滞回电压比较器C的输出端，滞回电压比较器C的正输入端连接栅极驱动输出端GD，滞回电压比较器C的负输入端经电容c接地。