[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器在审
申请号: | 201610422470.6 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN107516817A | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/125 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器,所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等,第一光栅的占空比恒定不变,第二光栅包括切趾段光栅,切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化,第二光栅的折射率调制强度弱于第一光栅的折射率调制强度。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器,在相移结构两侧的光栅长度、光栅刻蚀深度和光栅周期不变的条件下,第二光栅中引入切趾段光栅,实现两侧相移光栅耦合系数的不对称,DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称,增大了激光器的有效输出光功率。 | ||
搜索关键词: | 对称 结构 相移 光栅 dfb 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种非对称结构相移光栅,其特征在于,所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的长度相同、刻蚀深度相同且光栅周期相等,第一光栅的占空比恒定不变,第二光栅包括切趾段光栅,切趾段光栅的占空比沿光栅轴向逐渐变化,第一光栅和第二光栅的折射率调制强度不相等。
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