[发明专利]一种采用比较器的电源切换电路及信号传递方法有效
申请号: | 201610422557.3 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN105958631B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 贾金辉;周毅;孙进军;陈冬冬 | 申请(专利权)人: | 苏州微控智芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06 |
代理公司: | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 214122 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用比较器的电源切换电路,包括比较器、第一反相器、第二反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS开关管PFET1、第二PMOS开关管、第三PMOS开关管、第四PMOS开关管,本发明还公开了采用比较器的电源切换电路的信号传输方法,采用本发明,具有如下技术效果:1.切换阈值精准;本发明的切换逻辑是需要通过判定片外输入电源和备份电源的高低得到。2电源切换的可靠性;本发明的正反馈电路避免了电源电压在阈值点附近时造成的比较器输出的抖动引起的整个电源切换电路的抖动和不稳定。3.适用工艺范围广;由于本发明采用的是目主流的MOS工艺设计,因此本发明适用于一切MOS工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 比较 电源 切换 电路 信号 传递 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用比较器的电源切换电路,其特征在于:包括比较器、第一反相器、第二反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS开关管、第二PMOS开关管、第三PMOS开关管、第四PMOS开关管;所述的比较器的正端采样连接片外输入电源,负端采样连接备份电源,输出端连接到第一反相器、第二反相器、第一缓冲器以及第二缓冲器的输入端;所述的第一反相器的电源连接片外输入电源,所述的第二反相器的电源连接电源切换电路的输出,所述的第一缓冲器的电源连接电源切换电路的输出,所述的第二缓冲器的电源连接备份电源;所述的第一PMOS开关管的源端和衬底连接片外输入电源,漏端连接第二PMOS开关管的源端,栅端连接第一反相器的输出;所述的第二PMOS开关管的源端连接第一PMOS开关管的漏端,漏端和衬底连接电源切换电路的输出,栅端接第二反相器的输出端;所述的第三PMOS开关管的源端和衬底接电源切换电路的输出,漏端连接第四PMOS开关管的源端,栅端连接第一缓冲器的输出端;所述的第四PMOS开关管的源端接第三PMOS开关管的漏端,漏端和衬底连接备份电源,栅端连接第二缓冲器的输出端;所述的比较器采样片外输入电源和备份电源电压来判断是否切换,所述的比较器包括片外输入电源的MOS管串联电路、偏置电流产生电路、比较器主体、备份电源的MOS管串联电路;所述的偏置电流产生电路用于给所述的比较器主体提供直流工作点,所述的偏置电流产生电路包括第三分压电阻和偏置电流管组成;所述的第三分压电阻的一端连接片外输入电源;所述的第三分压电阻另一端和偏置电流管的漏极以及栅极均相连接;所述的偏置电流管的源极接地线;所述的比较器主体包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电流镜管;所述的第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极连接,源极和第二PMOS管的源极相连接且均连接到片外输入电源,漏极和第一PMOS管、第二PMOS管的栅极以及第一NMOS管的漏极均相连接;所述的第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相连接,所述的第一NMOS管和第二NMOS管的源极以及电流镜管的漏极均相连接;所述的第二NMOS管的栅极和备份电源采样电路连接;所述的电流镜管的栅极和偏置电流产生电路连接,源极接地线。
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