[发明专利]一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法有效
| 申请号： | 201610422751.1 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106011745B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 周兵;刘竹波;王志峰 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/32;C23C14/02 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法。该装置为离子源辅助脉冲阴极电弧装置，制备方法包括下列步骤：将预先化学清洗的硅基片烘干，放置在旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子溅射源对硅基片表面进行物理清洗；以高纯石墨作为脉冲电弧的阴极靶材，调节脉冲放电频率，同时通入氮气，打开离子源，分别制备原子化和离子化氮掺杂的非晶碳氮薄膜。本发明实现了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮键/碳碳键的含量可调、碳氮键合类型和类石墨氮/类吡啶氮的结构可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 制备 非晶碳氮 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置，其特征在于：包括真空室、溅射离子源、脉冲阴极等离子弧装置；真空室侧壁安装溅射离子源和脉冲碳阴极电弧电源，脉冲碳阴极电弧电源连接脉冲石墨阴极靶，阴极靶外圈设有脉冲石墨阳极靶；真空室底部装有圆形旋转样品台，样品台中心正对脉冲石墨阴极靶，样品台下端在真空室外部连接偏压电源；真空室上方设有氩气进气孔和氮气进气孔，前端设有氩气流量计和氮气流量计；真空室另一侧设有抽气通道，外侧连接抽真空装置。
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