[发明专利]一种水基造粒并直接冷等静压成型的氮化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201610422836.X | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106083068B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杨晓;刘学建;王鲁杰;姚秀敏;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/628;C04B35/622;B28B21/00;B28B3/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水基造粒并直接冷等静压成型的氮化硅陶瓷的制备方法，包括原料粉体配置、球磨、造粒、成型、烧成工序，其特征在于，在球磨工序使用去离子水作为溶剂，并预先在溶剂中添加聚丙烯酸和/或聚丙烯酸铵，加入量为所述原料粉体总量的0.5～3wt%。本发明采用去离子水为溶剂，提高了生产安全性，同时降低生产成本。本发明制备的氮化硅陶瓷材料微观结构均匀，具有较好的力学性能和热稳定性。本发明还可通过冷等静压直接成型管状、柱状、两端开口、一端开口坯或其他复杂形状，从而获得密度较高、强度较高的高性能氮化硅陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水基造粒 直接 静压 成型 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种水基造粒并直接冷等静压成型的氮化硅陶瓷的制备方法，包括原料粉体配置、球磨、造粒、成型、烧成工序，其特征在于，在球磨工序使用去离子水作为溶剂，并预先在溶剂中添加聚丙烯酸和/或聚丙烯酸铵，加入量为所述原料粉体总量的0.5～3wt%。
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