[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。该装置包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一区域和具有第二导电类型的第二区域；突出衬底且被沟槽隔开的第一鳍片和第二鳍片；第一鳍片包括具有第一导电类型且在第一区域上的第一部分和第二部分及具有第二导电类型且在第二区域上的第三部分；第二鳍片具有第二导电类型且在第二区域上；填充在沟槽中的第一绝缘物层；包绕第二部分和第三部分的栅极结构，包括：在第一鳍片上的栅极绝缘物层，在栅极绝缘物层上的第一功函数调节层，在第一功函数调节层、栅极绝缘物层和第一绝缘物层上的第二功函数调节层，在第二功函数调节层上的栅极，在栅极两侧的硬掩模层；及在栅极结构周围的层间电介质层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一导电类型的第一区域和具有第二导电类型的第二区域，所述第一区域与所述第二区域横向邻接，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型；突出于所述半导体衬底且被沟槽隔开的第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片包括具有所述第一导电类型且位于所述第一区域上的第一部分和第二部分、以及具有所述第二导电类型且位于所述第二区域上的第三部分，所述第一部分的上表面低于所述第二部分的上表面，所述第二部分和所述第三部分横向邻接；所述第二鳍片具有所述第二导电类型且位于所述第二区域上；以及至少部分地填充在所述沟槽中的第一绝缘物层；形成包绕所述第二部分和所述第三部分的一部分的第一栅极结构，所述第一栅极结构两端分别在所述第一部分上和所述第一绝缘物层上，其中所述第一栅极结构包括：位于所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的部分表面上的栅极绝缘物层，位于所述栅极绝缘物层上的第一栅极，以及包绕在所述第一栅极上的硬掩模层；在形成所述第一栅极结构之后的半导体结构上形成层间电介质层；平坦化所述层间电介质层和所述硬掩模层以露出所述第一栅极；去除所述第一栅极以露出所述栅极绝缘物层以及所述第一绝缘物层的一部分；在所述栅极绝缘物层位于所述第一部分和所述第二部分之上的部分的表面上形成第一功函数调节层；形成位于所述第一功函数调节层上、所述栅极绝缘物层在所述第三部分之上的部分的表面上和所述第一绝缘物层的一部分上的第二功函数调节层。