[发明专利]用于后段制程的牺牲的非晶硅硬掩膜

摘要

本发明涉及用于后段制程的牺牲的非晶硅硬掩膜，其起始金属化结构用于电耦合一或多个下层的半导体装置，该结构包括具有一或多个金属填充通孔位于其中的介电材料底层、在底层上方的保护层、及在保护层上方的介电材料顶层。在介电材料顶层上方形成非晶硅的牺牲层，在牺牲层上方形成保护层，并在一或多个金属填充通孔上方形成通过每个层的一或多个通孔，以露出一或多个金属填充通孔的金属。然后，选择性地移除保护层及非晶硅的牺牲层。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：提供用于电耦合一或多个下层的半导体装置的起始金属化结构，该结构包含具有一或多个金属填充通孔通过并位于其中的介电材料底层，该介电材料底层位于用于该一或多个下层的半导体装置的结构上，该起始金属化结构还包含在该底层上方的第一保护层、及在该第一保护层上方的介电材料顶层；在该介电材料顶层上方形成非晶硅的牺牲层；在该牺牲层上方形成第二保护层，该第二保护层包含金属氮化物；在该一或多个金属填充通孔上方形成通过每个层的至少一个通孔，以露出该一或多个金属填充通孔的该金属；于形成该至少一通孔后，选择性地移除该第二保护层的剩余物；以及移除该非晶硅的牺牲层。