[发明专利]一种双槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法

摘要

本发明公开了一种双镀槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法。通过双槽法制备技术，在两电镀液中交替沉积出了结构完整的纳米晶/非晶多层膜，该薄膜层结构明晰，且调至尺寸可控。相比于同等厚度的纯纳米晶Ni膜，多层薄膜在断前能承担更大的断裂应力且具有更大的塑性变形量。本发明充分结合了纳米晶金属和非晶态金属的塑性变形特点，利用双槽法电镀制备出纳米晶/非晶多层结构薄膜，实现了对纯纳米晶金属薄膜塑性变形能力的提高。并且调制尺寸可调，力学性能可控。制备方法操作简单，成本低，而且沉积速率快，可在大面积和较复杂的零件上沉积，极易实现工业生产上的规模化。

主权项

1.一种双槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法，其特征在于，纳米晶/非晶多层结构薄膜的制备按下述步骤进行：(1)分别在两镀槽中配制纳米晶金属Ni和三元非晶合金FeNiW的电镀液，过滤待用；(2)线切割制备所需尺寸的304不锈钢工件，以及镀制纳米晶金属Ni层所需的阳极Ni板和镀制三元非晶合金FeNiW层所需的阳极304不锈钢板；(3)直流电源连接Ni镀槽，脉冲电源连接FeNiW镀槽，脉冲电源的参数应设置为：频率为200Hz，正占空比为50％，负占空比为10％，电流密度为0.1‑0.12A/cm2；(4)分别在两镀槽中试镀1‑2h，使溶液中的离子浓度平衡；(5)在两电镀液中交替沉积纳米晶/非晶金属多层薄膜的两调制层——纳米晶金属Ni层和三元非晶合金FeNiW层，两调制层交替镀制间隙，要用去离子水将基片冲洗干净，防止两镀槽镀液在镀制过程中的交叉污染，影响镀层成分，进而影响薄膜质量。