[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及制作方法在审
| 申请号： | 201610424194.7 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105826398A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙雪菲;张斌;何晓龙;曹占锋;李正亮;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及制作方法。其中，薄膜晶体管包括栅极和半导体层；所述半导体层包括：非晶硅图形和多晶硅图形；所述非晶硅图形的一部分嵌入但不贯通所述多晶硅图形，且位于所述多晶硅图形远离所述栅极的一侧。本发明的非晶硅图形一部分内嵌式在多晶硅图形，相比于现有的多晶硅/非晶硅的双层结构，可以继承非晶硅图形与多晶硅图形各自的优点，但缺点不再彼此作用。此外，非晶硅图形内嵌式在多晶硅图形的结构设计，可以降低非晶硅图形与多晶硅图形的接触面积，从而减少界面态缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极和半导体层，其特征在于，所述半导体层包括：非晶硅图形和多晶硅图形；所述非晶硅图形的一部分嵌入但不贯通所述多晶硅图形，且位于所述多晶硅图形远离所述栅极的一侧。
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