[发明专利]碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统有效
申请号: | 201610424317.7 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN106124954B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 刘奥;陈刚;柏松 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/36 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210016 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法,还公开了限流保护系统,包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段,通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流,相比传统单一方式限流,针对每个阶段电路的实际情况设定合理的限流值,能够在动态测试的过程中根据动态测试的不同阶段实行精准的限流控制,防止电流过冲击穿器件及损坏测试电路,既能保证测试过程的正常进行,又能起到同时保护测试器件和测试电路的作用。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 二极管 mos 动态 测试 限流 保护 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:将待测试的碳化硅二极管D1和MOS管M1接入双脉冲动态测试电路中,选择测试所需的电流I、电压V、电感L和MOS管M1栅极驱动电压,并输入到计算机(4)中;S2:计算出第一脉冲时间长度并将第一脉冲时间长度T1和相应的限流值I1输入到计算机(4)中;S3:在小电流条件下运行一次双脉冲动态测试,在示波器上观测由于密勒效应造成的栅驱动波形关断延迟时间长度T2,并将栅驱动波形关断延迟时间长度T2和相应的的限流值I2输入到计算机(4)中;S4:自行选择第一脉冲与第二脉冲之间的时间间隔T3,并将时间间隔T3和相应的限流值I3输入到计算机(4)中;S5:自行选择第二脉冲时间长度T4,并将第二脉冲时间长度T4和相应的限流值I4输入到计算机(4)中;S6:将第二脉冲由于密勒效应造成的栅驱动波形关断延迟时间长度T5和相应的限流值I5输入计算机(4)中;S7:计算机(4)控制时序控制器(1)和电流检测装置(2),在时间段T1内如果检测到流过MOS管M1的电流超过I1,则电流检测装置(2)将信号反馈给计算机(4),计算机(4)控制驱动器(3)关断MOS管M1的栅极驱动信号;在时间段T2内如果检测到流过MOS管M1的电流超过I2,则电流检测装置(2)将信号反馈给计算机(4),计算机(4)控制驱动器(3)关断MOS管M1的栅极驱动信号;在时间段T3内如果检测到流过MOS管M1的电流超过I3,则电流检测装置(2)将信号反馈给计算机(4),计算机(4)控制保护开关断开,切断双脉冲动态测试电路的电源;在时间段T4内如果检测到流过MOS管M1的电流超过I4,则电流检测装置(2)将信号反馈给计算机(4),计算机(4)控制保护开关断开,切断双脉冲动态测试电路的电源;在时间段T5内如果检测到流过MOS管M1的电流超过I5,则电流检测装置(2)将信号反馈给计算机(4),计算机(4)控制保护开关断开,切断双脉冲动态测试电路的电源。
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