[发明专利]同轴波导二维电磁带隙结构

摘要

本发明公开了一种同轴波导二维电磁带隙结构，包括内导体、填充物、外导体和设置于内导体与外导体之间、具有角向和轴向的二维周期性的第一及第二不均匀结构。与现有技术相比，本发明的电磁带隙结构采用同轴波导，具有功率容量大、损耗小、散热能力强及易与微波技术领域常用的信号传输系统集成的优势，同时为获得带隙特性而引入的不均匀结构，其实现方式更有利于高频应用时的加工制作。此外，其带隙特性可通过转动的方式改变第一及第二不均匀结构相对的角向位置加以调节，从而使带隙具有可控性。本发明可以作为微波通信、卫星通信、遥感遥测、雷达、导航、电子对抗等高功率微波应用领域中抑制干扰或噪声的谐波抑制器或可调Q值的带阻滤波器。

主权项

1.一种同轴波导二维电磁带隙结构，包括金属柱状内导体、填充物和金属空心管状外导体，所述填充物套装于所述内导体，所述外导体套装于所述填充物，所述内导体及外导体的中心轴线位于同一直线上，其特征在于：还包括设置于所述内导体与外导体之间的第一不均匀结构及第二不均匀结构，所述第一不均匀结构及第二不均匀结构均具有角向和轴向的二维周期性；所述第一不均匀结构可相对所述第二不均匀结构发生转动，固定所述第一不均匀结构及第二不均匀结构之一者，转动所述第一不均匀结构及第二不均匀结构之另一者以使得所述第一不均匀结构及第二不均匀结构之间的初始相位差发生改变，从而控制所述同轴波导二维电磁带隙结构的传输带隙特性。