[发明专利]有机发光二极管显示器设备

摘要

公开一种有机发光二极管显示器设备，其包含：衬底；安置于衬底上的有机发光二极管；及包封有机发光二极管的包封层。包封层具有两个或多于两个无机层和一或多个有机层一个在另一个上交替堆叠的结构，每个无机层的厚度为40纳米到1000纳米且折射率为1.41到2.0，每个有机层的厚度为0.2微米到15微米并且折射率为1.4到1.65，且有机层由包封组成物形成。包封组成物包含：10到70重量％的(A)非硅类二(甲基)丙烯酸酯、20到70重量％的(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯、5到40重量％的(C)单(甲基)丙烯酸酯以及1到10重量％的(D)起始剂，(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯由式1表示。所述有机层具高等离子抗性。

主权项

1.一种有机发光二极管显示器设备，包括：衬底；安置于所述衬底上的有机发光二极管；以及包封所述有机发光二极管的包封层，其中所述包封层具有两个或多于两个无机层和一或多个有机层一个在另一个上交替堆叠的结构，所述无机层中的每一者的厚度为40纳米到1000纳米并且折射率为1.41到2.0，所述有机层中的每一者的厚度为0.2微米到15微米并且折射率为1.4到1.65，所述有机层由包封组成物形成，以及其中所述包封组成物包括10重量％到70重量％的(A)非硅类二(甲基)丙烯酸酯、20重量％到70重量％的(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯、5重量％到40重量％的(C)芳香族单(甲基)丙烯酸酯以及1重量％到10重量％的(D)起始剂，所述(B)硅类二(甲基)丙烯酸酯由式1表示：其中R₁和R₂各自独立地为单键；经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀亚烷基醚基；*‑N(R')‑(R")‑*，其中*表示元素的结合位点，R'为氢或经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基，并且R"为经取代或未经取代的C₁到C₂₀亚烷基；经取代或未经取代的C₆到C₃₀亚芳基；经取代或未经取代的C₇到C₃₀芳基亚烷基；或*‑(R')‑O‑**，其中*表示式1中氧的结合位点，**表示式1中硅的结合位点，并且R'为经取代或未经取代的C₁到C₃₀亚烷基；X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆各自独立地为氢；羟基；卤素；氰基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀杂环烷基；经取代或未经取代的C₃到C₃₀环烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基醚基；*‑N(R')‑(R")‑*，其中*表示元素的结合位点，并且R'和R"各自独立地为氢或经取代或未经取代的C₁到C₃₀烷基；经取代或未经取代的C₁到C₃₀硫化烷基；经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基；经取代或未经取代的C₂到C₃₀杂芳基或经取代或未经取代的C₇到C₃₀芳基烷基；X₁、X₂、X₃、X₄、X₅以及X₆中的至少一者为经取代或未经取代的C₆到C₃₀芳基；R₃和R₄各自独立地为氢或甲基；以及n为0到30的整数，或平均在0到30的范围内。