[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201610424879.1 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107516631B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成盖帽层，所述盖帽层中含有氧离子；在所述盖帽层上形成含有铝离子的吸附层；对所述吸附层、盖帽层以及高k栅介质层进行退火处理，所述退火处理适于使所述盖帽层中氧离子向所述高k栅介质层内扩散，且在所述退火处理过程中所述吸附层吸附所述氧离子；在进行所述退火处理之后，去除所述吸附层；在所述高k栅介质层上形成金属层。本发明不仅提高了高k栅介质层的性能，还提高了界面层的致密度，且还避免基底被过度氧化，提高了形成的半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成盖帽层，所述盖帽层中含有氧离子；在所述盖帽层上形成含有铝离子的吸附层，所述吸附层中的铝离子原子百分比含量为10％～60％；对所述吸附层、盖帽层以及高k栅介质层进行退火处理，所述退火处理适于使所述盖帽层中氧离子向所述高k栅介质层内扩散，且在所述退火处理过程中所述吸附层吸附所述氧离子；在进行所述退火处理之后，去除所述吸附层；在所述高k栅介质层上形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
