[发明专利]一种高强度宽带太赫兹波发生器

摘要

本发明公开了一种高强度宽带太赫兹波发生器，基本结构包括：(1)双面抛光基底、[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]_n或[非磁性金属薄膜/铁磁薄膜/能透射THz波的绝缘层]_n(n≥1，n为重复核心层个数)。使用时，外加磁场，磁场方向平行于薄膜平面，磁铁固定在旋转台上，通过改变磁场方向，改变太赫兹光波的偏振方向，太赫兹光波的偏振方向与磁场方向垂直。本发明利用铁磁/非磁性金属薄膜层中的反自旋霍尔效应产生THz脉冲，不仅可以得到频谱较宽的太赫兹脉冲，而且其强度可以与非线性晶体产生的THz光波相比拟，成本大大降低，为THz波今后更广泛的应用提供了良好的条件。

主权项

1.一种高强度宽带太赫兹波发生器，由飞秒激光脉冲光源、THz脉冲发生器和作用于THz脉冲发生器的磁场构成，其特征在于，THz脉冲发生器以[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[非磁性金属薄膜/铁磁薄膜/能透射THz波的绝缘层]n为核心层，n=3；多核心层生长在双面抛光的基底上；所述基底采用如下材料中的一种：氧化镁，氧化铝，氧化硅，氧化钛，氧化锌，氧化锆，氧化锗，氧化钒，氧化钇，氧化镧，氧化锡；所述非磁性金属薄膜和铁磁薄膜为纳米薄膜；磁场平行于薄膜平面加在纳米薄膜两侧；铁磁薄膜或非磁性金属薄膜材料厚度在0.2 到10 nm内变动；所述铁磁薄膜用以下物质之一构成：Fe、Co、Ni、CoFe单一成份或其合金；所述非磁性金属薄膜用以下物质之一构成：Au、Ag、Pt、Bi、Bi2Se3；能透射THz波的绝缘层采用MgO薄膜；所述飞秒激光脉冲光源发出的飞秒激光波长为800nm，脉宽为50fs，频率为1000Hz，功率为70mV；上述作用于THz发生器的磁场的磁铁固定在旋转平台上，以获得任意偏振方向的THz光波。