[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201610425298.X | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106098615B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 秦文文;孙建;史大为;王珍;乔赟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层；在形成有所述第一钝化层的衬底基板上形成公共电极；在形成有所述公共电极的衬底基板上形成触摸金属图案TPM。由于该平坦层图案上覆盖有第一钝化层，该第一钝化层的稳定性较高，因此在形成TPM时，该第一钝化层能够保护平坦层图案，避免平坦层图案中析出污染物对TPM以及镀膜腔室造成污染。本发明用于制造阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层；在形成有所述第一钝化层的衬底基板上形成公共电极；在形成有所述公共电极的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；所述公共电极上形成有公共电极孔，所述平坦层图案上形成有平坦层孔，所述平坦层孔位于所述TFT的源极或漏极上方，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层之后，所述方法还包括：在所述第一钝化层上形成第一TFT接触过孔，所述第一TFT接触过孔与所述平坦层孔连通，所述第一TFT接触过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述平坦层孔在所述衬底基板上的正投影内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
