[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种形成了导通电流不同的多个构造的晶体管的半导体装置。半导体装置具有第1晶体管和第2晶体管，上述第1晶体管具有：第1电极、具有第1侧壁的第1绝缘层、第1侧壁上的与第1电极连接的第1氧化物半导体层、与第1氧化物半导体层对置的第1栅极电极、第1氧化物半导体层与第1栅极电极之间的第1栅极绝缘层、以及第1绝缘层的上方的与第1氧化物半导体层连接的第2电极，上述第2晶体管具有：第3电极、从第3电极离开的第4电极、第3电极与第4电极之间的与第1氧化物半导体层同一层的第2氧化物半导体层、与第2氧化物半导体层对置的第2栅极电极、以及第2氧化物半导体层与第2栅极电极之间的第2栅极绝缘层。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有第1晶体管和第2晶体管，上述第1晶体管具有：第1电极；具有第1侧壁的第1绝缘层；上述第1侧壁上的与上述第1电极连接的第1氧化物半导体层；与上述第1氧化物半导体层对置的第1栅极电极；上述第1氧化物半导体层与上述第1栅极电极之间的第1栅极绝缘层；以及上述第1绝缘层的上方的与上述第1氧化物半导体层连接的第2电极，上述第2晶体管具有：第3电极；从上述第3电极离开的第4电极；上述第3电极与上述第4电极之间的与上述第3电极以及上述第4电极分别连接的第2氧化物半导体层；与上述第2氧化物半导体层对置的第2栅极电极；以及上述第2氧化物半导体层与上述第2栅极电极之间的第2栅极绝缘层，上述第1氧化物半导体层以及上述第2氧化物半导体层是同一层，上述第1栅极绝缘层以及上述第2栅极绝缘层是同一层。