[发明专利]一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201610425763.X | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106025019B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延结构 复合调节层 生长过程 导电层 可调节 外延片 衬底 翘曲 外延生长过程 电子阻挡层 欧姆接触层 外延表面 异常问题 应力问题 生长 掺杂层 电性能 缓冲层 外延层 源层 | ||
【主权项】：
1.一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，其特征在于：衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长复合调节层，复合调节层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长电子阻挡层，电子阻挡层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。
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