[发明专利]薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置

摘要

公开了一种薄膜晶体管(TFT)基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置。该TFT基板包括：第一TFT，其包括沉积在基板上的多晶半导体层、第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极；与第一TFT隔离的第二TFT，所述第二TFT包括沉积在第一栅电极上的第二栅电极、氧化物半导体层、第二源电极、以及第二漏电极；以及与第一TFT和第二TFT隔离的多个存储电容器，各个存储电容器包括：第一虚拟半导体层、在第一虚拟半导体层上的第一栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层上的第一虚拟栅电极、以及在第一虚拟栅电极上的中间绝缘层。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，包括：包括薄膜的第一薄膜晶体管，其中多晶半导体层、第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极以所叙述的顺序沉积在基板上；与所述第一薄膜晶体管隔离的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括薄膜，其中第二栅电极、氧化物半导体层、第二源电极、以及第二漏电极以所叙述的顺序沉积在覆盖所述第一栅电极的层上；以及与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管隔离的多个存储电容器，所述多个存储电容器各自包括：第一虚拟半导体层、在所述第一虚拟半导体层上的第一栅极绝缘层、在所述第一栅极绝缘层上的第一虚拟栅电极、在所述第一虚拟栅电极上的中间绝缘层、在所述中间绝缘层上的第二虚拟栅电极、在所述第二虚拟栅电极上的第二栅极绝缘层、在所述第二栅极绝缘层上的第一虚拟源极‑漏极电极、在所述第一虚拟源极‑漏极电极上的钝化层、以及在所述钝化层上的虚拟像素电极。