[发明专利]一种倾斜溅射工艺制备渐变折射率减反射膜的方法在审
| 申请号： | 201610426332.5 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105951051A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 田丽;吴敏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学;上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倾斜溅射工艺制备渐变折射率减反射膜的方法，其步骤如下：一、清洗基片；二、清理溅射炉，放置清洗后的基片，调整安放角度；三、抽真空；四、溅射镀膜；五、取出基片，关闭总电源。本发明利用常规磁控溅射方法结合倾斜蒸镀技术，将衬底镀膜面与蒸镀源坩锅偏置0~90°角度放置，这样源材料受Ar等离子体轰击，碰撞出原子或分子在靶源与基片之间的输运后到达衬底表面所走过的行程和到达角度的差异，导致在成膜表面凝结、成核顺序差异，而使表面形成纳米量级结构生长的目的。所镀置减反射薄膜由于阴影遮蔽效应生长成纳米柱、杆状多孔结构，从而实现梯度渐变折射率特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倾斜 溅射 工艺 制备 渐变 折射率 减反射膜 方法 | ||
【主权项】：
一种倾斜溅射工艺制备渐变折射率减反射膜的方法，其特征在于所述方法步骤如下：一、清洗基片；二、清理溅射炉，放置清洗后的基片，调整基片安放角度，使镀膜面与蒸镀源坩锅偏置0~90°放置；三、抽真空；四、溅射镀膜；五、溅射完成后，切断溅射电源开关，取出基片。
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