[发明专利]一种具有阱区掺杂的发光二极管在审
| 申请号： | 201610426634.2 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105895768A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、有源区、电子阻挡层、p‑GaN层和欧姆接触层；有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。本发明可以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掺杂 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、有源区、电子阻挡层、p‑GaN层和欧姆接触层；其特征在于：有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。
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