[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201610429034.1 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN106257668B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 铃木辉夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社索思未来 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张浴月;石海霞 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件,包括;第一域,包括第一高电源线、第一低电源线以及第一电源钳位电路;第二域,包括第二高电源线、第二低电源线以及第二电源钳位电路;第三电源钳位电路,设置在所述第二高电源线与所述第一低电源线之间;第一中继电路,接收来自所述第一域的信号,并将所述信号输出至所述第二域;以及第二中继电路,接收来自所述第二域的信号,并将所述信号输出至所述第一域;其中所述第一中继电路和所述第二中继电路具有连接至所述第二高电源线和所述第一低电源线的电路部。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n第一域,包括第一高电源线、第一低电源线以及设置在所述第一高电源线与所述第一低电源线之间的第一电源钳位电路;/n第二域,包括与所述第一高电源线分开的第二高电源线、与所述第一低电源线分开的第二低电源线以及设置在所述第二高电源线与所述第二低电源线之间的第二电源钳位电路;/n第三电源钳位电路,设置在所述第二高电源线与所述第一低电源线之间;/n第一中继电路,接收来自所述第一域的信号,并将所述信号输出至所述第二域;以及/n第二中继电路,接收来自所述第二域的信号,并将所述信号输出至所述第一域;其中,/n所述第一中继电路是第一电平移位器;/n所述第一中继电路包括:第一补偿信号生成电路,连接至所述第一高电源线和所述第一低电源线,并生成来自所述第一域的信号的补偿信号;以及/n所述第一中继电路包括:第一差分电路,连接至所述第二高电源线和所述第一低电源线,接收来自所述第一补偿信号生成电路的补偿信号,并输出至所述第二域的第一输出;/n所述第一差分电路通过所述第二高电源线电连接至所述第二电源钳位电路;/n所述第一差分电路与所述第二低电源线电气分开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的