[发明专利]二维半导体可饱和吸收镜及其制备方法、脉冲光纤激光器在审
| 申请号： | 201610429328.4 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105896258A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 闫培光;陈浩;邢凤飞;丁金妃 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种二维半导体可饱和吸收镜，包括光纤、附在所述光纤端面的二维半导体薄膜及附在所述二维半导体薄膜上的金膜。本发明还提供了所述二维半导体可饱和吸收镜的制备方法，包括以下步骤：将光纤进行切割；将切割后的光纤及二维半导体靶材置于真空室中，将所述二维半导体等离子体沉积在光纤端面上，形成二维半导体薄膜，通过控制沉积时间及/或沉积温度，使所述二维半导体薄膜达到所需厚度；在所得二维半导体薄膜上镀金膜。本发明的这种新型二维半导体可饱和吸收镜由光纤端面、二维半导体薄膜及金膜组成，具有高损伤阈值，而且结构简单、成本低廉，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体 饱和 吸收 及其 制备 方法 脉冲 光纤 激光器 | ||
【主权项】：
一种二维半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括光纤、附在所述光纤端面的二维半导体薄膜及附在所述二维半导体薄膜上的金膜。
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