[发明专利]光刻版结构及LED芯片分选入Bin的方法在审
| 申请号： | 201610429520.3 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106094425A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李庆;张广庚;吴红斌;王磊;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;H01L33/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻版结构及LED芯片分选入Bin的方法，所述光刻版上设有若干LED芯片图形，光刻版还包括位于光刻版中心位置的第一标记点、位于光刻版上的若干第二标记点，第一标记点用于标记光刻版的中心位置，第二标记点为光刻过程中的对位标记点，所述光刻版上还设有若干第三标记点，第三标记点至少位于沿中心位置的两个方向上。本发明通过增设的第三对位标记点能够避免第二对位标记点外部区域和第一对位标记点上下区域出现错位的情况，提高了合档的准确性，减少了出现分选错Bin的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 结构 led 芯片 分选 bin 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻版结构，所述光刻版上设有若干LED芯片图形，光刻版还包括位于光刻版中心位置的第一标记点、位于光刻版上的若干第二标记点，第一标记点用于标记光刻版的中心位置，第二标记点为光刻过程中的对位标记点，其特征在于，所述光刻版上还设有若干第三标记点，第三标记点至少位于沿中心位置的两个方向上。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
