[发明专利]一种纳米印章的制备工艺有效
申请号: | 201610430455.6 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN106079845B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 王晶 | 申请(专利权)人: | 宣城良知知识产权服务有限公司 |
主分类号: | B41C1/00 | 分类号: | B41C1/00 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 姜庆梅 |
地址: | 242199 安徽省宣*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米印章的制备工艺,包括以下步骤:(1)对母板进行表面处理;(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备;(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模。本发明具有工艺简单,效率高,能对母板上的图案进行高保真复制的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 印章 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种纳米印章的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:(1)对母板进行表面处理:将母板放入丙酮中,在超声池中振动4‑6min,将母板取出,放入乙醇中,在超声池中再振动4‑6min,将母板取出,最后放入去离子水中,在超声池中再振动2‑4min,取出母板;(2)在母板上进行聚二甲基硅氧烷复合片的制备:在母板上刷上脱模剂,待脱模剂成膜后,将聚二甲基硅氧烷生胶,在其中加入纳米中间体和溶剂,进行超声震荡3‑6min,脱气25‑35min后,浇到母板上,用针尖去除气泡,将母板进行旋转,从而在母板上形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20‑26h;聚二甲基硅氧烷与固化剂按8‑12:1的质量比混合,搅拌均匀,在真空条件下脱气25‑35min后,浇到母板上的聚二甲基硅氧烷纳米片上,用针尖去除气泡,将母板进行旋转,从而在聚二甲基硅氧烷纳米片上形成聚二甲基硅氧烷预聚体,固化40‑45h;将聚二甲基硅氧烷生胶,在其中加入纳米中间体和溶剂,进行超声震荡3‑6min,脱气25‑35min后,浇到母板上的聚二甲基硅氧烷片上,用针尖去除气泡,将母板进行旋转,从而在母板上的聚二甲基硅氧烷片上再次形成聚二甲基硅氧烷纳米预聚体,固化20‑26h,形成聚二甲基硅氧烷复合片;(3)聚二甲基硅氧烷复合片的脱模:将聚二甲基硅氧烷复合片从母板上揭开,即得聚二甲基硅氧烷印章。
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