[发明专利]一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构有效
| 申请号： | 201610430735.7 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106130545B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 周昕杰;陈嘉鹏;潘滨;张国贤;陈瑶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03L7/085 | 分类号： | H03L7/085;H03L7/089;H03L7/099 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，该自偏置PLL加固结构是通过判别非加固自偏置PLL中单粒子效应对VBACK信号的影响，对单粒子效应敏感的自偏置产生电路进行加固，得到能够抗单粒子效应的VBACKR信号；并将第一压控振荡器输出的小信号经过放大后，再通过表决器表决，输出稳定的PLL输出信号。本发明与非加固自偏置PLL相比，具有更好的抗单粒子效应能力，并能够满足宇航应用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 辐射 偏置 pll 加固 结构 | ||
【主权项】：
1.一种抗单粒子辐射的自偏置PLL加固结构，其特征在于：所述自偏置PLL加固结构包括鉴频鉴相器（1）第一电荷泵（2）、第二电荷泵（3）、第一自偏置产生电路（42）、第二自偏置产生电路（43）、第三自偏置产生电路（44）、第一压控振荡器（6）、第一电容C1和第二电容C2；其中，所述鉴频鉴相器（1）的第一输入端接参考电平CLKIN，第二输入端接所述第一压控振荡器（6）输出的PLL信号；所述鉴频鉴相器（1）输出U1/D1信号给第一电荷泵（2），输出U2/D2信号给第二电荷泵（3）；两组电荷泵的输出分别经过第一电容C1和第二电容C2，向第一自偏置产生电路（42）、第二自偏置产生电路（43）、第三自偏置产生电路（44）输入偏置信号，第一自偏置产生电路（42）、第二自偏置产生电路（43）、第三自偏置产生电路（44）产生不容易受单粒子效应扰动的VBACK信号反馈给第一电荷泵（2）和第二电荷泵（3），用于控制第一电荷泵（2）和第二电荷泵（3）的充放电；同时，第一自偏置产生电路（42）、第二自偏置产生电路（43）、第三自偏置产生电路（44）均产生VBNR、VBPR信号至第一压控振荡器（6），第一压控振荡器（6）输出抗辐射自偏置PLL信号。
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