[发明专利]一种可关断的高压启动电路

摘要

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种可关断线的高压启动电路。本发明仅额外增加了数目有限的晶体管，就实现了一种用作高压启动的可关断线性稳压电路，解决了芯片待机功耗过大和功率管寿命过短的问题。本发明的包括带关断的主体电路、偏置和基准电路和控制逻辑电路，偏置和基准电路的功耗很低，可直接通过输入电压产生，并独立工作，给逻辑电路和主体电路提供偏置和基准。控制逻辑电路功能是检测输入点、输出点的状态。主体电路则接受来自偏置和基准电路的偏置和基准以及逻辑电路的控制信号，最终产生稳定的输出电压或是关断功率管。

主权项

一种可关断的高压启动电路，包括偏置和基准电路、控制逻辑电路和主体电路；所述偏置和基准电路的输入端接外部高压电源，偏置和基准电路的输出端分别接控制逻辑电路的输入端和主体电路的输入端；所述控制逻辑电路的输出端接主体电路的输入端，主体电路的电源端接外部高压电源；其中，偏置和基准电路用于给控制逻辑电路和主体电路提供偏置电压和基准电压；控制逻辑电路用于检测输入点的电压，并根据检测的结果产生控制信号发送到主体电路，控制主体电路产生稳定的输出电压；其特征在于，所述主体电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NPN型双极晶体管Q1、第二NPN型双极晶体管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一JFET晶体管JFET1、第一增强型MOSFET晶体管LDMOS1和第一运算放大器A1；第一增强型MOSFET晶体管LDMOS1的漏极接外部高压电源，其栅极接第一PMOS管MP1的漏极，第一增强型MOSFET晶体管LDMOS1的源极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第一JFET晶体管JFET1的漏极接外部高压电源，其栅极接地；第一PMOS管MP1的源极接第一JFET晶体管JFET1的源极，第一PMOS管MP1的栅极接偏置和基准电路输出的偏置电压；第三PMOS管MP3的源极接第一PMOS管MP1的漏极，第三PMOS管MP3的栅极接运算放大器A1的输出端，第三PMOS管MP3的漏极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第二PMOS管MP2的源极接第一JFET晶体管JFET1的源极，第二PMOS管MP2的栅极接偏置和基准电路输出的偏置电压；第四PMOS管MP4的源极接第一JFET晶体管JFET1的源极，第四PMOS管MP4的栅极接外部使能信号；第一NPN型双极晶体管Q1的集电极接第一PMOS管MP1的漏极，第一NPN型双极晶体管Q1的基极接第二PMOS管MP2漏极与第四PMOS管MP4漏极的连接点，第一NPN型双极晶体管Q1的发射极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第二NPN型双极晶体管Q2的集电极接第二PMOS管MP2漏极与第四PMOS管MP4漏极的连接点，第二NPN型双极晶体管Q2的基极与集电极互连，第二NPN型双极晶体管Q2的发射极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地；第一运算放大器A1的正向输入端接偏置和基准电路输出的基准电压，第一运算放大器A1的负向输入端通过第二电阻R2后接地，第一运算放大器A1的使能端接外部使能信号。